Dowload Skripsi Mipa Gratis (Analisis Sifat Lisrtik Persambungan M-S-M)
Film tipis terdiri dari bahan organik maupun inorganik, metal atau campuran metal organik yang mempunyai sifat konduktor, semikonduktor maupun isolator (Sudjatmoko, 2003:3). Pembuatan film tipis dapat dilakukan dengan teknik penumbuhan atom atau partikel pada permukaan substrat yang dapat menghasilkan film dengan ketebalan sampai orde mikrometer. Film tipis mempunyai sifat yang berbeda dengan bahan padatan, baik itu geometri (ukuran panjang, tebal dan lebar), komposisi dan strukturnya (Atmono, 2003:2). Sifat film tipis yang ditumbuhkan dapat dimodifikasi sesuai dengan tujuan penerapannya.
Material semikonduktor III-nitrida (AlN, GaN, InN) mempunyai kecepatan saturasi elektron, tegangan breakdown, conduction band-offset dan stabilitas termal tinggi sehingga sangat berpotensi untuk aplikasi devais elektronik yang bekerja pada daya dan temperatur tinggi ( Ambacher. et al, 2000). Untuk memenuhi kebutuhan elektronika saat ini banyak dikembangkan transistor efek medan. Pada saat ini telah dikembangkan transistor efek medan berbasiskan struktur -hetero AlxGa1-xN/GaN (HFET) yang sering juga disebut sebagai high electron mobility transistor (HEMT) (Eastman, L.F. et al, 2001). Struktur-hetero AlxGa1- xN/GaN dapat menghasilkan gas elektron dua dimensi (2DEG) dengan rapat muatan dan mobilitas yang tinggi pada daerah antarmuka. Sifat dari Struktur-hetero AlxGa1- xN/GaN tersebut sangat baik untuk pembuatan piranti elektronik.
Pada pembuatan devais elektronik khususnya HFET atau HEMT dari bahan semikonduktor golongan III-nitrida (seperti GaN dan paduannya seperti AlxGa1 -xN) perlu diketahui sifat listrik maupun optik dari bahan semikonduktor yang digunakan. Apabila sifat-sifat dari bahan tersebut telah diketahui maka dapat membantu proses pembuatan devais elektronik yang menghasilkan produk dengan kualitas yang baik. Lapisan tipis dengan struktur-hetero AlxGa1-xN/GaN telah ditumbuhkan dengan metode MOCVD (metalorganic chemical vapor eposition) (Zhao, G. Y. et al., 2000) dan MBE (molecular beam epitaxy) (Elsass, C.R. et al, 2001) di atas substrat sapphire atau SiC.
Persoalan penting pada HFET adalah penggunaan substrat dan konsumsi daya yang murah dengan menunjukkan arus kebocoran gate yang rendah dan unjuk kerja yang tinggi. Untuk mengetahui sifat listrik dari material semikonduktor golongan III-nitrida (seperti GaN dan paduannya seperti AlxGa1-xN) yang saat ini banyak dikembangkan dalam pembuatan HFET maka dalam penelitian ini dilakukan pengujian arus-tegangan (I-V) terhadap persambungan M-S-M pada semikonduktor paduan AlxGa1-xN yang ditumbuhkan pada substrat silikon (111) dengan lapisan penyangga AlN dengan metode dc magnetron sputtering.
Kualitas dari persambungan antara kontak logam-semikonduktor yang dalam hal ini adalah filim tipis AlxGa1-xN perlu diketahui untuk selanjutnya film tersebut diaplikasikan dalam pembuatan divais. Kontak logam-semikonduktor dapat bersifat Ohmik apabila nilai resistansi besarnya tetap. Dengan pemberian variasi teganan atau bersifat schottky bila pada daerah persambungan logam- semikonduktor terdapat adanya potensial penghalang (barrier) dengan pemberian tegangan tertentu. Berdasarkan wacana tersebut maka sangat diperlukan investigasi terhadap sifat listrik suatu bahan sebelum membuat aplikasi divais.
Substrat silikon Si (111) merupakan substrat alternatif selain simetri kristalnya serupa dengan GaN juga harganya jauh lebih murah dibandingkan substrat SiC maupun sapphire. Pembuatan HFET di atas silikon mempunyai banyak keuggulan sehingga memungkinkan dibuatnya devais dalam dalam skala besar. Studi penumbuhan film tipis GaN di atas Si(111) telah dilakukan oleh Miyazaki et al (2001) dengan metode rf magnetron sputtering, juga oleh Randanowicz dan Narayan (2004) dengan metode MBE. DC magnetron sputtering sangat berpotensi sebagai salah satu metode penumbuhan lapisan tipis karena operasionalnya mudah dan biayanya relatif murah.
dilink berikut Analisis Sifat Lisrtik Persambungan M-S-M
Password: bReWAI3j
No comments:
Post a Comment